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第6代ANF系列IGBT
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三菱 IGBT模塊
TOSHIBA IGBT模塊
西門(mén)康 IGBT模塊
富士 IGBT模塊
IGBT單管
EUPEC(infineon)IGBT單管
仙童(Fairchild)IGBT單管
富士(FUJI)IGBT單管
IGBT驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)板
concept 驅(qū)動(dòng)板
西門(mén)康IGBT驅(qū)動(dòng)板
三菱 富士IGBT驅(qū)動(dòng)電路
無(wú)感電容
EUROPTRONIC方殼吸收電容
加拿大 EACO無(wú)感電容
臺(tái)灣 CD無(wú)感電容
美國(guó) CDE無(wú)感電容
電解電容
美國(guó) CDE電解電容
德國(guó) EPCOS電解電容
日本 日立電解電容
英國(guó) BHC電解電容
電 話:010-82893676
010-82895189
010-82895337
手 機(jī):13341025080
13501214042
13391912886
傳 真:010-82895621
郵 編:100085
郵 箱:
cdd@bjrtd.com
地址:海淀區(qū)上地信息路1號(hào)國(guó)際科技創(chuàng)業(yè)園1號(hào)樓301
長(zhǎng)沙辦事處:
手機(jī):15200904688
第3代H系列IGBT
第5代A系列IGBT
第5代NF系列IGBT
第5代NFH和NFM系列
第5代NX系列IGBT
第5代MPD系列IGBT
第6代NX系列IGBT
第6代ANF系列IGBT
第6代MPD系列IGBT
第6代新MPD系列IGBT
第6代ANF系列IGBT產(chǎn)品型號(hào)
(點(diǎn)擊某型號(hào),可以查看該產(chǎn)品的pdf資料)
性能特點(diǎn)
:
>
采用第6代IGBT硅片技術(shù),損耗低,硅片結(jié)溫可高達(dá)175°C,硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C,內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻;
>
封裝兼容第五代A/NF系列模塊
應(yīng)用領(lǐng)域
:通用變頻器
型 號(hào) 列 表
單元數(shù)及電路
電 壓
型 號(hào)
單元數(shù)及電路
電 壓
型 號(hào)
兩單元
1200V
CM300DY-24S
CM450DY-24S
CM600DY-24S
CM800DY-24S
兩單元共集電極
1200V
CM400C1Y-24S
郵箱:cdd@bjrtd.com 在線QQ交談:913981851 54485717 1062662049
地址:海淀區(qū)上地信息路1號(hào)國(guó)際科技創(chuàng)業(yè)園1號(hào)樓301
京ICP備05079211號(hào)
可控硅