湖人直播免费观看/中国澳大利亚足球/bet36体育网址/500竞彩足球官网

IGBT
網站首頁 公司簡介 產品中心 技術資料 新聞 聯系我們
您現在的位置： 首頁 >> 產品中心 >> IGBT模塊 >> 三菱 IGBT模塊 >> 高壓IGBT模塊

IGBT模塊
infineon IGBT模塊
三菱 IGBT模塊
TOSHIBA IGBT模塊
西門康 IGBT模塊
富士 IGBT模塊
IGBT單管
EUPEC(infineon)IGBT單管
仙童(Fairchild)IGBT單管
富士(FUJI)IGBT單管
IGBT驅動電路和驅動板
concept 驅動板
西門康IGBT驅動板
三菱 富士IGBT驅動電路
無感電容
EUROPTRONIC方殼吸收電容
加拿大 EACO無感電容
臺灣 CD無感電容
美國 CDE無感電容
電解電容
美國 CDE電解電容
德國 EPCOS電解電容
日本 日立電解電容
英國 BHC電解電容

電 　話：010-82893676
　　　　 010-82895189
　　　　 010-82895337
手 　機：13341025080
　　　　 13501214042
　　　　 13391912886
傳　　真：010-82895621
郵　　編：100085
郵　　箱：cdd@bjrtd.com
地址：海淀區上地信息路1號國際科技創業園1號樓301
長沙辦事處：
手機：15200904688
 標準IGBT模塊   高壓IGBT模塊   DIPCIBTM   IPM智能功率模塊   DIPIPMTM   MOSFET模塊

高壓IGBT模塊產品型號（點擊某型號，可以查看該產品的pdf資料）


一單元 兩單元 斬波結構
性能特點：
> 基板：有Cu和AlSiC兩種，額定電壓：從1700V到6500V，額定電流：從200A到2400A，絕緣電壓：從4.0kVrms到10.2kVrms ；
> H系列：采用平板型IGBT硅片，其可靠性已得到業界公認；
> N系列：采用 CSTBTTM硅片，進一步降低損耗，縮小體積；
> N系列B型：采用 CSTBTTM硅片，封裝與H系列兼容；
> R系列：封裝尺寸與 H 系列兼容;額定電流提升到1500A；高短路魯棒性設計；運行溫度范圍由-40~125℃ 擴大到-50~ 150℃；最小存貯溫度由-40℃擴展到-55℃。；
> 續流二極管：軟恢復特性，保證良好的EMI性能。
應用領域：牽引和大功率變頻傳動 電力傳輸 DC斬波器裝置
電 壓 底板\結構 一單元HA 兩單元DY 斬波結構
1700V G1(Cu底板) CM800HA-34HCM1200HA-34H CM600DY-34H CM600E2Y-34H
G3
(AlSiC底板)		 CM1200HC-34HCM1600HC-34H
CM1800HC-34HCM2400HC-34H		 CM800DZ-34H  
G4（Cu底板） CM800DZB-34NCM1200DB-34N    
G4
(AlSiC底板)		 CM1200HCB-34NCM1800HC-34NCM2400HC-34N
CM1800HCB-34NCM2400HCB-34N		 CM1200DC-34N CM1200E4C-34N
2500V G1(Cu底板) CM800HA-50H CM1200HA-50H CM400DY-50H  
G2(Cu底板) CM800HB-50HCM1200HB-50H    
G3(AlSiC底板) CM1200HC-50H    
3300V G1(Cu底板) CM800HA-66HCM1200HA-66H CM400DY-66H CM800E2Z-66H
G2(Cu底板) CM800HB-66HCM1200HB-66H    
G3(AlSiC底板) CM800HC-66HCM1200HC-66H
CM1500HC-66R		   CM800E2C-66HCM800E4C-66H
CM1000E4C-66RCM800E6C-66H
G4(AlSiC底板) CM400HG-66H CM800HG-66H CM1200HG-66H    
4500V G2(Cu底板) CM400HB-90HCM600HB-90HCM900HB-90H    
G3(AlSiC底板) CM900HC-90H    
G4(AlSiC底板) CM600HG-90H CM900HG-90H CM1200HG-90R    
6500V G4(AlSiC底板) CM200HG-130HCM400HG-130H CM600HG-130H   CM400E2G-130H CM400E4G-130H
CM750HG-130R

郵箱：cdd@bjrtd.com 在線QQ交談：913981851 54485717 1062662049
地址：海淀區上地信息路1號國際科技創業園1號樓301 京ICP備05079211號 可控硅