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IGBT的工作原理 作者：瑞田達 文章來源：本站原創(chuàng) 點擊數(shù)： 更新時間：2013-12-25 9:32:13
IGBT的工作原理 一般IGBT是由許多IGBT單元并聯(lián)而成，由于IGBT雙極性的電導調制效應，當IGBT打開時，di/dt大。若只有部分IGBT單元開通，則大電流集中在開通的IGBT單元中，電流密度驟增
IGBT 的驅動方法和 MOSFET 基本相同，只需控制輸入極 N一溝道 MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。 當 MOSFET 的溝道形成后，從 P 基極注入到 N 一層的空穴（少子），對 N 一層進行電導調制，減小 N 一層的電阻，使 IGBT 在高電壓 時，也具有低的通態(tài)電壓。若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。
由此可知,IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：
——IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓;
——IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓;
——流過IGBT集電極－發(fā)射極的電流;
——IGBT的結溫。
IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件。應用于交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
一般IGBT是由許多IGBT單元并聯(lián)而成，由于IGBT雙極性的電導調制效應，當IGBT打開時，di/dt大。若只有部分IGBT單元開通，則大電流集中在開通的IGBT單元中，電流密度驟增，稱之為“束流效應”采用調制技術，變壓器隔離，內置自給電源，占空比0-100％，工作頻率0-100KHz，最大驅動400A/1700V的IGBT模塊。
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